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장비
· TG-CVI Furnace     · HIPIC Furnace     · Graphitization Furnace     · SMI Furnace    
TG-CVI Furnace
TG-CVI
TG-CVI(Thermal Gradient - Chemical Vapor Infiltration) 공정은 피처리체의 내외부 또는 상하부 방향으로 온도편차가 형성될 수 있도록 인위적으로 유도하고 열분해탄소를 이용하여 온도구배를 따라 점진적으로 탄소기지상(carbon matrix)을 증착시키는 공법으로서 단 1회의 CVI 공정만으로도 밀도화를 완료시켜 탄소복합소재를 제조할 수 있는 공정이다.
장비사양
항목 사양
온도 Max. 1,300℃
압력 진공 및 상압제어
가스 불활성 및 탄화수소계 가스
HIPIC Furnace
HIPIC
HIPIC(Hot Isostatic Pressure Impregnation & Carbonization) 공정은 피처리체에 등방적인 압력을 가하여 함침(impregnation)과 탄화(carbonization)를 동시에 처리할 수 있는 공법으로서 통상적인 액상함침법(resin impregnation)보다 탄소수율을 2배 이상 높이면서 고밀도의 탄소복합소재를 제조할 수 있다.
장비사양
항목 사양
온도 Max. 1,000℃
압력 Max. 1,000bar
가스 불활성 가스
Graphitization Furnace
Graphitization
흑연화(Graphitization) 공정은 기상 및 액상함침법으로 제조된 탄소복합소재를 2,000℃ 이상의 고온으로 열처리하여 흑연의 결정구조와 유사한 3차원적인 규칙성를 갖도록 유도하는 고온열처리 공정으로서 흑연의 취약한 기계적 강도를 보강하면서도 흑연의 우수한 열적 특성에 가까운 탄소복합소재를 제조할 수 있다.
장비사양
항목 사양
온도 Max. 2,800℃
압력 진공 및 상압
가스 불활성 가스
SMI Furnace
SMI
SMI(Silicon Melting Infiltration) 공정은 금속소재의 용융점을 이용한 액상함침법으로 용융된 실리콘(Si)이 탄소소재의 기공을 통하여 자연스럽게 침투되어 탄화규소(SiC) 화합물을 합성하는 공법으로 단시간에 치밀한 구조의 탄소-세라믹(C/SiC) 복합소재를 제조할 수 있다.
장비사양
항목 사양
온도 Max. 1,700℃
압력 진공 및 상압
가스 불활성 가스
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